5月30日至31日，第三届电子元器件辐射效应国际会议在重庆召开。会议由中国科学院新疆理化技术研究所、模拟集成电路国家重点实验室、哈尔滨工业大学共同主办。

　　会议设有电子元器件及材料辐射效应和损伤机理、光电器件和电路辐射效应、抗辐射加固方法和测试技术、空间系统新概念四个分会场，来自10个国家的180余位专家学者围绕材料、器件、电路及电子系统的辐射效应、测试方法、加固技术和评估方法进行了交流和讨论。

　　会议对促进电子元器件辐射效应领域专家学者的交流和国际合作有积极作用。