7月7日，英国谢菲尔德大学电子工程系教授Richard Hogg和俄罗斯科学院科捷利尼科夫无线电工程与电子学研究所（Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics）教授Viacheslav .V .Popov应邀来中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行学术交流和访问，并分别作了题为Coherent 2D Arrays of Photonic Crystal Surface Emitting Lasers和Electrodynamics of Plasma Oscillations in Microstructures and Microdevices with Two-dimensional Electron Channels的学术报告。

　　Richard Hogg1995年在谢菲尔德大学物理系取得博士学位，随后在日本NTT基础研究所、日本东京大学、东芝公司、安捷伦科技等公司任职多年。2003年加入谢菲尔德大学电子工程系，担任半导体材料与器件研究部部长，同时是英国EPSRC国家III-V族半导体中心主要负责人之一。他的研究工作主要专注于半导体器件物理、半导体器件工艺制造，包括各类半导体激光器、光放大器、超辐射光源、量子级联激光器等半导体光电子器件的研究。他在Nature Photonics, Advances in optics and photonics.等国际一流杂志上发表论文100多篇。

　　在上午的报告中，Richard Hogg首先介绍了他在DFB激光器、量子级联激光器、宽光谱发光光源等半导体光电子器件领域的研究工作，随后分享了他近年来在光子晶体面发射激光器（PCSELs）研究方向上所取得的最新研究成果。

　　当日下午，Viacheslav .V .Popov作了题为Electrodynamics of Plasma Oscillations in Microstructures and Microdevices with Two-dimensional Electron Channels的报告，该报告是Popov访问苏州纳米所期间所作的系列报告之一。

　　高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）结构中的二维电子气可以在电场作用下激发出等离子体波模式，通过进一步耦合实现与太赫兹波的相互转化，从而实现太赫兹波的调制、探测与发射，具有重要的研究价值。在报告中，Popov介绍了自己在二维电子气沟道结构中的理论工作，具体包括通过数值计算分别模拟了有限尺寸的二维电子气对入射太赫兹波的调控，平板栅极与周期性光栅栅极下二维电子气对太赫兹波的吸收，场效应晶体管阵列对太赫兹波的调控等，具有一定的指导意义。